GS832236E-166I,GS832236E-166I pdf中文资料,GS832236E-166I引脚图,GS832236E-166I电路-Datasheet-电子工程世界

GS832236E-166I: 产品描述Cache SRAM, 1MX36, 8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共46页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS832236E-166I概述

Cache SRAM, 1MX36, 8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	8 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	17 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.08 A
最小待机电流	2.38 V
最大压摆率	0.245 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15 mm

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