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HAT2099H: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LFPAK-5; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小102KB，共2页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HAT2099H概述

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LFPAK-5

HAT2099H规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数	5
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	50 A
最大漏极电流 (ID)	50 A
最大漏源导通电阻	0.0073 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

HAT2099H相似产品对比

	HAT2099H	HAT2085T
描述	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LFPAK-5	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TTP-8D, TSSOP-8
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	5	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	50 A	1.4 A
最大漏极电流 (ID)	50 A	1.4 A
最大漏源导通电阻	0.0073 Ω	0.64 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G4	R-PDSO-G8
元件数量	1	1
端子数量	4	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	30 W	1.3 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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