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HYB25D256400BF-6

产品描述DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 12 X 8 MM, PLASTIC, TFBGA-60
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文件大小3MB,共83页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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HYB25D256400BF-6概述

DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 12 X 8 MM, PLASTIC, TFBGA-60

HYB25D256400BF-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度12 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm

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Data Sheet, Rev. 1.21, Jul. 2004
HYB25D256400B[T/C](L)
HYB25D256800B[T/C](L)
HYB25D256160B[T/C](L)
256 Mbit Double Data Rate SDRAM
DDR SDRAM
Memory Products
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