Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | compli |
集电极-发射极最大电压 | 20 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
JEDEC-95代码 | TO-18 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN (315) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
最大关闭时间(toff) | 90 ns |
最大开启时间(吨) | 60 ns |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved