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SD1117DD

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共4页
制造商Topaz Semiconductor
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SD1117DD概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

SD1117DD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Topaz Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.28 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.36 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

SD1117DD相似产品对比

SD1117DD SD1107DD SD1107HD SD1117HD
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
配置 Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.28 A 0.22 A 0.36 A 0.46 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.36 W 0.36 W 1 W 1 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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