OP-AMP, 15000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDIP8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, MS-001BA, DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 90 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 15000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -8 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -7.5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5/+-7.5/15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 10 V/us |
| 最大压摆率 | 15 mA |
| 供电电压上限 | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 7.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz |
| 最小电压增益 | 50000 |
| CA5160E | CA5160M96 | |
|---|---|---|
| 描述 | OP-AMP, 15000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDIP8 | OP-AMP, 15000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC |
| 包装说明 | PLASTIC, MS-001BA, DIP-8 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA | 0.00005 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 90 dB | 90 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 15000 µV | 15000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 低-偏置 | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -8 V | -8 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -7.5 V | -7.5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 电源 | 5/+-7.5/15 V | 5/+-7.5/15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 10 V/us | 10 V/us |
| 最大压摆率 | 15 mA | 15 mA |
| 供电电压上限 | 8 V | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 7.5 V | 7.5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | BIMOS | BIMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz | 4000 kHz |
| 最小电压增益 | 50000 | 50000 |
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