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JAN2N3420S

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, SMILILAR TO TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小163KB,共3页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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JAN2N3420S概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, SMILILAR TO TO-39, 3 PIN

JAN2N3420S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/393E
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大开启时间(吨)300 ns
Base Number Matches1

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NPN Meduim Power Silicon Transistor
2N3418, 2N3419, 2N3420 & 2N3421
2N3418S, 2N3419S, 2N3420S & 2N3421S
Features
Available in commercial, JAN, JANTX, JANTXV, JANS
and JANSR 100K rads (Si) per MIL-PRF-19500/393
TO-5, TO-39 (TO-205AD) Package
Maximum Ratings
Ratings
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Collector Current
TP
1.0 ms, duty cycle
50%
Total Power Dissipation @ TA = +25 °C
@ TC = +100 °C
Operating & Storage Temperature Range
Top, Tstg
PT
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
2N3418, S
2N3420, S
60
85
8.0
3.0
5.0
1.0
5.0
-65 to +200
W
W
°C
2N3419, S
2N3421, S
80
125
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Electrical Characteristics
OFF Characteristics
Collector - Emitter Breakdown Voltage
IC = 50 mAdc
2N3418, S, 2N3420, S
2N3419, S, 2N3421, S
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 80 Vdc, VBE = -0.5 Vdc
VCE = 120 Vdc, VBE = -0.5 Vdc
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 45 Vdc
VCE = 60 Vdc
Emitter - Base Cutoff Current
VEB = 6.0 Vdc, IC = 0
VEB = 8.0 Vdc, I
C
= 0
2N3418, S, 2N3420, S
2N3419, S, 2N3421, S
2N3418, S, 2N3420, S
2N3419, S, 2N3421, S
Symbol
V(BR)CEO
Mimimum
60
80
---
Maximum
---
Units
Vdc
ICEX
0.3
0.3
5.0
5.0
0.5
10.0
μAdc
ICEO
---
μAdc
IEBO
---
μAdc
Revision Date: 4/22/2014
1

 
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