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UF3J-T1

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小42KB,共3页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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UF3J-T1概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB

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W TE
PO WE R SEM IC O ND UC TO R S
UF3A – UF3K
3.0A SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECTIFIER
Features
!
!
!
!
!
!
!
Glass Passivated Die Construction
Ideally Suited for Automatic Assembly
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency
Surge Overload Rating to 100A Peak
Low Power Loss
Ultra-Fast Recovery Time
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
B
D
A
F
C
H
G
E
Mechanical Data
!
!
!
!
!
Case: Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable
per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Marking: Type Number
Weight: 0.21 grams (approx.)
SMC/DO-214AB
Dim
Min
Max
A
5.59
6.22
B
6.60
7.11
C
2.75
3.25
D
0.152
0.305
E
7.75
8.13
F
2.00
2.62
G
0.051
0.203
H
0.76
1.27
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
= 75°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
UF3A
@T
A
=25°C unless otherwise specified
UF3B
UF3D
UF3G
UF3J
UF3K
Unit
50
35
100
70
200
140
3.0
400
280
600
420
800
560
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
@T
A
= 55°C
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
@I
F
= 3.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
R
JL
T
j,
T
STG
50
75
1.0
100
1.4
10
500
100
50
15
-50 to +150
1.7
A
V
µA
nS
pF
K/W
°C
Note: 1. Measured with I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A,
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.
3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm
2
land area.
UF3A – UF3K
1 of 3
© 2002 Won-Top Electronics

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