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2729-120

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小478KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2729-120概述

Transistor

2729-120规格参数

参数名称属性值
Objectid106562922
包装说明,
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL0

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2729 – 120
120 Watts - 36 Volts, 100µs, 10%
Radar 2700-2900 MHz
PRELIMINARY
GENERAL DESCRIPTION
The 2729-120 is an internally matched, COMMON BASE transistor
capable of providing 120 Watts of pulsed RF output power at one
hundred microseconds pulse width, ten percent duty factor across the
band 2700 to 2900 MHz. This hermetically solder-sealed transistor is
specifically designed for S-Band radar applications. It utilizes gold
metalization and emitter ballasting to provide high reliability and
supreme ruggedness.
CASE OUTLINE
55KS, STYLE 1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Power Dissipation @ 25 C
o
389 Watts Pk
65 Volts
3.0 Volts
15 Amps
See Attached Drawing
Maximum Voltage and Current
BVces
Collector to Emitter Voltage
BVebo
Emitter to Base Voltage
Ic
Collector Current , Peak
Maximum Temperatures
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
- 65 to + 200
o
C
+ 200
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25
O
C
SYMBOL
Pout
Pin
Pg
η
c
VSWR
1
CHARACTERISTICS
Power Out
Power Input
Power Gain
Collector Efficiency
Load Mismatch Tolerance
TEST CONDITIONS
F = 2700-2900 MHz
Vcc = 36 Volts
Pulse Width = 100
µs
Duty = 10 %
MIN
120
8.24
40
8.8
50
TYP
MAX
18
2:1
UNITS
Watts
Watts
dB
%
F = 2900MHz, Po =120W
BVces
BVebo
Hfe
θ
jc
1
Collector to Emitter Breakdown
Emitter to Base Breakdown
DC Current Gain
Thermal Resistance
Ic = 50 mA
Ie = 25 mA
Vce = 5 V, Ic = 500 mA
Rated Pulse Condition
65
3.0
20
45
Volts
Volts
0.45
o
C/W
Note 1: Pulse condition of 100µsec, 10%.
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