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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> UF4006GP
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UF4006GP

产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小193KB，共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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UF4006GP概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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MCC
Features
•
•
•
•
  omponents
21201 Itasca Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
UF4001GP
THRU
UF4007GP
1 Amp Glass
Passivated Ultra Fast
Recovery Rectifier
50 to 1000 Volts
DO-41
High Surge Capability
Low Leakage
Low Forward Voltage Drop
Ultra Fast Switching Speed For High Efficiency
Maximum Ratings
•
•
•
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Typical Thermal Resistance 40°C/W
MCC
Device
Maximum
Maximum
Catalog
Marking
Recurrent
RMS
Number
Peak Reverse
Voltage
Voltage
UF4001GP
---
50V
35V
UF4002GP
---
100V
70V
UF4003GP
---
200V
140V
UF4004GP
---
400V
280V
UF4005GP
---
600V
420V
UF4006GP
---
800V
560V
UF4007GP
---
1000V
700V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
400V
800V
1000V
D
A
Cathode
Mark
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
UF4001GP-4003GP
UF4004GP
UF4005GP-4007GP
D
I
F(AV)
I
FSM
1A
30A
T
A
= 55°C
8.3ms, half sine
C
V
F
I
R
1. 0 V
1. 3 V
1. 7 V
I
FM
= 1.0A;
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
DIM
A
B
C
D
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
5 uA
100uA
UF4001GP-4004GP
T
rr
50ns
75ns
UF4005GP-4007GP
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE
Typical Junction
Capacitance
20pF
Measured at
UF4001GP-4004GP
C
J
10pF
1.0MHz, V
R
=4.0V
UF4005GP-4007GP
*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%
www.mccsemi.com

UF4006GP相似产品对比

UF4006GP UF4007GP UF4005GP UF4004GP UF4003GP UF4002GP UF4001GP
描述 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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