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NX8562LB646

产品描述LASER DIODE W/MONITOR,1.565UM PEAK WAVELENGTH,MODULE-BFVAR
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小72KB,共12页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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NX8562LB646概述

LASER DIODE W/MONITOR,1.565UM PEAK WAVELENGTH,MODULE-BFVAR

NX8562LB646规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codeunknown
最大正向电流0.3 A
最大正向电压1.5 V
安装特点SURFACE MOUNT
最高工作温度65 °C
最低工作温度-20 °C
光电设备类型LASER DIODE
峰值波长1565 nm
半导体材料InGaAsP
表面贴装YES
微机原理
1. 8259应用实验(1)按图7-4所示线路,编写程序,使每次响应外部中断IRQ7时,显示字符“7”,中断10次后,程序退出。实验参考程序如下:地址 助记符地址助记符2000 MOV AX,20262003 MOV W[003C],AX2006 MOV AX,00002009 MOV W[003E],AX200C CLI200D INAL,21200F AND AL,7F2011 OUT 21,...
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