HYRDU72184M-60M概述

Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA74, MICRO, BGA-74

HYRDU72184M-60M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA68(UNSPEC)
针数	74
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性	SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	600 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B74
JESD-609代码	e0
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	74
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	4MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA68(UNSPEC)
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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HYRDU72184M-60M相似产品对比

	HYRDU72184M-60M	HYRDU64164M-60M	HYRDU64164M-80M	HYRDU72184M-80M
描述	Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA74, MICRO, BGA-74	Rambus DRAM, 4MX16, CMOS, PBGA66, MICRO, BGA-66	Rambus DRAM, 4MX16, CMOS, PBGA66, MICRO, BGA-66	Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA74, MICRO, BGA-74
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA68(UNSPEC)	BGA, BGA68(UNSPEC)	BGA, BGA68(UNSPEC)	BGA, BGA68(UNSPEC)
针数	74	66	66	74
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性	SELF REFRESH	SELF REFRESH	SELF REFRESH	SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	600 MHz	600 MHz	800 MHz	800 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B74	R-PBGA-B66	R-PBGA-B66	R-PBGA-B74
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	75497472 bit	67108864 bit	67108864 bit	75497472 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	18	16	16	18
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	74	66	66	74
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	4MX18	4MX16	4MX16	4MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA68(UNSPEC)	BGA68(UNSPEC)	BGA68(UNSPEC)	BGA68(UNSPEC)
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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