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HIT562-TZ-HQ

产品描述Silicon PNP Epitaxial
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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HIT562-TZ-HQ概述

Silicon PNP Epitaxial

HIT562-TZ-HQ规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Preliminary
Datasheet
HIT562
Silicon PNP Epitaxial
Features
Low frequency power amplifier
Complementary pair with HIT468
R07DS0448EJ0400
(Previous: REJ03G1503-0300)
Rev.4.00
Jun 14, 2011
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003DC-A
(Package name: TO-92 Mod)
1. Emitter
2. Collector
3. Base
3
2
1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector peak current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Note : 1. PW
10 ms, Duty cycle
20%
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C (peak)
*
P
C
Tj
Tstg
1
Ratings
–45
–25
–6
–1.0
–1.5
0.8
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
R07DS0448EJ0400 Rev.4.00
Jun 14, 2011
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HIT562-TZ-HQ相似产品对比

HIT562-TZ-HQ HIT562-HQ HIT562-TZ-EQ HIT562_11
描述 Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 -
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) -
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 -
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 -
针数 3 3 3 -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE -
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A -
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V 25 V -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 -
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND ROUND ROUND -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 PNP PNP PNP -
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W 0.8 W 0.8 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
Base Number Matches 1 1 1 -
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