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2N5658E3

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, TO-59, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2N5658E3概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, TO-59, 3 PIN

2N5658E3规格参数

参数名称属性值
Objectid8059220429
包装说明TO-59, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-59
JESD-30 代码O-MUPM-X3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

 
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