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2SK3933-01S

产品描述Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小253KB,共4页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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2SK3933-01S概述

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

2SK3933-01S规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级(Eas)453.9 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11 A
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)165 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SK3933-01S相似产品对比

2SK3933-01S 2SK3933-01SJ 2SK3933-01L
描述 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
雪崩能效等级(Eas) 453.9 mJ 453.9 mJ 453.9 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 11 A 11 A 11 A
最大漏源导通电阻 0.7 Ω 0.7 Ω 0.7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 44 A 44 A 44 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES NO
端子形式 GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
外壳连接 DRAIN DRAIN -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 11 A - 11 A
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 165 W - 165 W
Base Number Matches 1 1 -
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