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V826632G24SATG-A1

产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, PDMA200
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文件大小250KB,共15页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V826632G24SATG-A1概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, PDMA200

V826632G24SATG-A1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ProMOS Technologies Inc
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间0.8 ns
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N200
JESD-609代码e4
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
端子数量200
字数33554432 words
字数代码32000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
最大压摆率2 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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