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V826632B24SCIY-D0: 产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.65ns, CMOS, PDMA200; 产品类别存储存储; 文件大小205KB，共14页; 制造商ProMOS Technologies Inc; 标准

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V826632B24SCIY-D0概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.65ns, CMOS, PDMA200

	V826632B24SCIY-D0	V826632B24SCEW-C0
描述	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.65ns, CMOS, PDMA200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA200
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc
包装说明	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code	compliant	compliant
最长访问时间	0.65 ns	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200
JESD-609代码	e4	e4
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64
端子数量	200	200
字数	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	32MX64	32MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.6 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192
最大待机电流	0.12 A	0.1 A
最大压摆率	1.6 mA	1.41 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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