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2SC5615EB-T3-A

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SOT-416VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小127KB,共31页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SC5615EB-T3-A概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SOT-416VAR

2SC5615EB-T3-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.065 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)80
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.14 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)4500 MHz
Base Number Matches1

2SC5615EB-T3-A相似产品对比

2SC5615EB-T3-A 2SC5615FB-A 2SC5615 2SC5615FB-T3-A 2SC5615FB
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SOT-416VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SOT-416VAR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SOT-416VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SOT-416VAR
Reach Compliance Code compli compli compli compli unknow
最大集电极电流 (IC) 0.065 A 0.065 A 0.065 A 0.065 A 0.065 A
配置 Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 80 100 80 100 100
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.14 W 0.14 W 0.14 W 0.14 W 0.14 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 不符合

 
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