EPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, CQCC32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| MBM27C512-20TV | MBM27C512-15Z | MBM27C512-25Z | MBM27C512-25Z-W | MBM27C512-15TV | MBM27C512-20TV-W | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | EPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, CQCC32 | UVPROM, 64KX8, 150ns, CMOS, CDIP28, CERDIP-28 | EPROM, 64KX8, 250ns, CMOS, CDIP28 | EPROM, 64KX8, 250ns, CMOS, CDIP28 | UVPROM, 64KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, FRIT SEALED, CERAMIC, LCC-32 | EPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, CQCC32 |
| 包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 | WDIP, | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 | WQCCN, | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | compliant | unknown | compliant |
| 最长访问时间 | 200 ns | 150 ns | 250 ns | 250 ns | 150 ns | 200 ns |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N32 | R-GDIP-T28 | R-XDIP-T28 | R-XDIP-T28 | R-CQCC-N32 | R-XQCC-N32 |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 32 | 28 | 28 | 28 | 32 | 32 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 125 °C | 70 °C | 125 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN | WDIP | DIP | DIP | WQCCN | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER, WINDOW | CHIP CARRIER |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY | COMMERCIAL | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD | QUAD |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | FUJITSU(富士通) | - | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | - | FUJITSU(富士通) |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON | - | COMMON |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | - | e0 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | - | DIP28,.6 | DIP28,.6 | - | LCC32,.45X.55 |
| 电源 | 5 V | - | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | - | 0.0001 A | 0.0001 A | - | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | - | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.04 mA | 0.03 mA |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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