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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD1306ND01
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2SD1306ND01

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB，共3页
制造商Hitachi （Renesas ）
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

2SD1306ND01概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPAK-3

2SD1306ND01规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.7 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)250
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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