Unijunction Transistor, 6uA I(P), TO-18, TO-18, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | BCY |
包装说明 | TO-18, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | SINGLE |
最大发射极电流 | 70 mA |
最大基极间电压 | 65 V |
最大本征偏离比 | 0.75 |
最小本征偏离比 | 0.62 |
JEDEC-95代码 | TO-18 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 140 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
最大峰点电流 | 6 mA |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大基极间静态电阻 | 6.8 kΩ |
最小基极间静态电阻 | 4.7 kΩ |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
最小谷点电流 | 8 mA |
Base Number Matches | 1 |
2N2421B | 2N494A | 2N492 | 2N489 | 2N4870 | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | Unijunction Transistor, 6uA I(P), TO-18, TO-18, 3 PIN | Unijunction Transistor, 12uA I(P), TO-5, TO-5, 3 PIN | Unijunction Transistor, 12uA I(P), TO-5, TO-5, 3 PIN | Unijunction Transistor, 12uA I(P), TO-5, TO-5, 3 PIN | Unijunction Transistor, 5uA I(P), TO-92, TO-92, 3 PIN |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | BCY | TO-5 | TO-5 | TO-5 | TO-92 |
包装说明 | TO-18, 3 PIN | TO-5, 3 PIN | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | TO-92, 3 PIN |
针数 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknown | unknown | unknown |
配置 | SINGLE | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | SINGLE |
最大发射极电流 | 70 mA | 70 mA | 70 mA | 70 mA | 50 mA |
最大基极间电压 | 65 V | 65 V | 65 V | 65 V | 35 V |
最大本征偏离比 | 0.75 | 0.75 | 0.68 | 0.62 | 0.75 |
最小本征偏离比 | 0.62 | 0.62 | 0.56 | 0.51 | 0.56 |
JEDEC-95代码 | TO-18 | TO-5 | TO-5 | TO-5 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-PBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 140 °C | 140 °C | 140 °C | 140 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -55 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
最大峰点电流 | 6 mA | 12 mA | 12 mA | 12 mA | 5 mA |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.45 W | 0.45 W | 0.45 W | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大基极间静态电阻 | 6.8 kΩ | 9.1 kΩ | 9.1 kΩ | 6.8 kΩ | 9.1 kΩ |
最小基极间静态电阻 | 4.7 kΩ | 6.2 kΩ | 6.2 kΩ | 4.7 kΩ | 4 kΩ |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
最小谷点电流 | 8 mA | 8 mA | 8 mA | 8 mA | 2 mA |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - | - | 1 |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
厂商名称 | - | - | Semitronics Corp | Semitronics Corp | Semitronics Corp |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved