NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
最小直流电流增益 (hFE) | 140 |
元件数量 | 1 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
表面贴装 | YES |
晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM |
NESG210719-T1 | NESG210719 | NESG210719-A | NESG210719-T1-A | |
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描述 | NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain | NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain | NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain | NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | - | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | - | compli |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | - | 0.1 A |
元件数量 | 1 | 1 | - | 1 |
极性/信道类型 | NPN | NPN | - | NPN |
表面贴装 | YES | YES | - | YES |
晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM | SILICON GERMANIUM | - | SILICON GERMANIUM |
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