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NESG2031M05

产品描述NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小147KB,共14页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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NESG2031M05概述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

NESG2031M05规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.035 A
最小直流电流增益 (hFE)130
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.175 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM

NESG2031M05相似产品对比

NESG2031M05 NESG2031M05-T1 NESG2031M05-T1-A
描述 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
Reach Compliance Code unknow unknow -
最大集电极电流 (IC) 0.035 A 0.035 A -
最小直流电流增益 (hFE) 130 130 -
元件数量 1 1 -
极性/信道类型 NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 0.175 W 0.175 W -
表面贴装 YES YES -
晶体管元件材料 SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM -

 
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