NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 0.035 A |
最小直流电流增益 (hFE) | 130 |
元件数量 | 1 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.175 W |
表面贴装 | YES |
晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM |
NESG2031M05 | NESG2031M05-T1 | NESG2031M05-T1-A | |
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描述 | NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification | NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification | NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | - |
最大集电极电流 (IC) | 0.035 A | 0.035 A | - |
最小直流电流增益 (hFE) | 130 | 130 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
极性/信道类型 | NPN | NPN | - |
最大功率耗散 (Abs) | 0.175 W | 0.175 W | - |
表面贴装 | YES | YES | - |
晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM | SILICON GERMANIUM | - |
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