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SRI512-SB12I/1GE

产品描述EEPROM 3V
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文件大小669KB,共47页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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SRI512-SB12I/1GE概述

EEPROM 3V

SRI512-SB12I/1GE规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明DIE,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
JESD-30 代码X-XUUC-N
内存密度512 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度32
功能数量1
字数16 words
字数代码16
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
组织16X32
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
最大供电电压 (Vsup)3.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER

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SRI512
13.56 MHz short-range contactless memory chip
with 512-bit EEPROM and anticollision functions
Datasheet
-
production data
Features
ISO 14443-2 Type B air interface compliant
ISO 14443-3 Type B frame format compliant
13.56 MHz carrier frequency
847 kHz subcarrier frequency
106 Kbit/second data transfer
8 bit Chip_ID based anticollision system
2 Count-down binary counters with automated
antitearing protection
64-bit Unique Identifier
512-bit EEPROM with write protect feature
Read_block and Write_block (32 bits)
Internal tuning capacitor
1million erase/write cycles
40-year data retention
Self-timed programming cycle
5 ms typical programming time
– Bumped and sawn wafer
August 2015
This is information on a product in full production.
Doc ID13263 Rev 8
1/47
www.st.com

SRI512-SB12I/1GE相似产品对比

SRI512-SB12I/1GE SRI512-SB12I/XXX
描述 EEPROM 3V EEPROM 3V
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 DIE, DIE,
Reach Compliance Code unknown compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
JESD-30 代码 X-XUUC-N X-XUUC-N
内存密度 512 bit 512 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 32 32
功能数量 1 1
字数 16 words 16 words
字数代码 16 16
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -20 °C -20 °C
组织 16X32 16X32
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIE DIE
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
编程电压 3 V 3 V
最大供电电压 (Vsup) 3.5 V 3.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER

 
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