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AUIRLS3036-7TRL: 产品描述240 A, 60 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小258KB，共12页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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AUIRLS3036-7TRL概述

240 A, 60 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB

240 A, 60 V, 0.0019 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263CB

AUIRLS3036-7TRL规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
针数	7
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	240 A
最大漏极电流 (ID)	240 A
最大漏源导通电阻	0.0019 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263CB
JESD-30 代码	R-PSSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	380 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	1000 A
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

AUIRLS3036-7TRL相似产品对比

	AUIRLS3036-7TRL	AUIRLS3036-7P	AUIRLS3036-7TRR
描述	240 A, 60 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB	240 A, 60 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB	240 A, 60 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	D2PAK	D2PAK	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-7	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
针数	7	7	7
Reach Compliance Code	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ	300 mJ	300 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	240 A	240 A	240 A
最大漏极电流 (ID)	240 A	240 A	240 A
最大漏源导通电阻	0.0019 Ω	0.0019 Ω	0.0019 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263CB	TO-263CB	TO-263CB
JESD-30 代码	R-PSSO-G6	R-PSSO-G6	R-PSSO-G6
JESD-609代码	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1
元件数量	1	1	1
端子数量	6	6	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	380 W	380 W	380 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	1000 A	1000 A	1000 A
表面贴装	YES	YES	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	-	1

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