1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
包装说明 | TSSOP, TSSOP48,.71,20 |
Reach Compliance Code | compli |
最长访问时间 | 30 ns |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
内存密度 | 1073741824 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
部门数/规模 | 1K |
端子数量 | 48 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP48,.71,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小 | 2K words |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
部门规模 | 128K |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.02 mA |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
切换位 | NO |
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