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MT48LC8M16TG-10XT:G

产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
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文件大小6MB,共69页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT48LC8M16TG-10XT:G概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

MT48LC8M16TG-10XT:G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP2
包装说明0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
针数54
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度75 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)235
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.00045 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL EXTENDED
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10.16 mm

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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
SYNCHRONOUS
DRAM
Features
• Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)
• Fully synchronous; all signals registered on positive
edge of system clock
• Internal pipelined operation; column address can
be changed every clock cycle
• Internal banks for hiding row access/precharge
• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page
• Auto Precharge, includes CONCURRENT auto
precharge, and Auto Refresh Modes
• Self Refresh Mode; standard and low power
• 64ms, 4,096-cycle refresh
• LVTTL-compatible inputs and outputs
• Low voltage power supply
• Partial Array Self Refresh power-saving mode
MT48LC8M16LFF4, MT48V8M16LFF4,
MT48LC8M16TG, MT48V8M16TG,
MT48V8M16P, MT48LC4M32LFF5,
MT48V4M32LFF5
Table 1:
Configuration
Refresh Count
Row Addressing
Bank
Addressing
Column
Addressing
Configurations
8 MEG X 16
2 Meg x 16 x 4
banks
4K
4K (A0–A11)
4 (BA0, BA1)
512 (A0–A8)
4 MEG X 32
1 Meg x 32 x 4
banks
4K
4K (A0–A11)
4 (BA0, BA1)
256 (A0–A7)
Table 2:
Key Timing Parameters
Options
• V
DD
/V
DD
Q
3.3V/3.3V
2.5V/2.5V – 1.8V
• Configurations
8 Meg x 16 (2 Meg x 16 x 4 banks)
4 Meg x 32 (1 Meg x 32 x 4 banks)
• Package/Ball out
54-ball VFBGA (8mm x 8mm)
1
54-ball VFBGA (8mm x 8mm)
1
Lead-Free
90-ball VFBGA (8mm x 13mm)
2
90-ball VFBGA (8mm x 13mm)
2
Lead-Free
54-Pin TSOP II (400 mil)
54-Pin TSOP II (400 mil) Lead-Free
• Timing (Cycle Time)
7.5ns @ CL = 3 (133 MHz)
8ns @ CL = 3 (125 MHz)
10ns @ CL = 3 (100 MHz)
• Temperature
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Extended (-25°C to +75°C)
• Design Revision
NOTE:
1. x16 only.
2. x32 only.
Marking
LC
V
8M16
4M32
F4
B4
F5
B5
TG
P
-75M
-8
-10
None
IT
XT
:G
CL = CAS (READ) latency
ACCESS TIME
SPEED
CLOCK
GRADE FREQUENCY CL = 1 CL = 2 CL = 3
t
RCD
-75M
-8
-10
-75M
-8
-10
-8
-10
133MHz
125 MHz
100 MHz
100MHz
100 MHz
83 MHz
50 MHz
40 MHz
-
-
19ns
22ns
-
6
8ns
8ns
5.4
7ns
7ns
-
19ns
20ns
20ns
19ns
20ns
20ns
20ns
20ns
t
RP
19ns
20ns
20ns
19ns
20ns
20ns
20ns
20ns
Part Number Example:
MT48V8M16LFB4-8
09005aef8071a76b
128Mbx16x32Mobile_1.fm - Rev. J 5/05 EN
1
©2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

 
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