V58C265804ST6,V58C265804ST6 pdf中文资料,V58C265804ST6引脚图,V58C265804ST6电路-Datasheet-电子工程世界

V58C265804ST6: 产品描述DDR DRAM, 8MX8, 0.6ns, CMOS, PDSO66; 产品类别存储存储; 文件大小454KB，共44页; 制造商Mosel Vitelic Corporation ( MVC ); 官网地址http://www.moselvitelic.com

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V58C265804ST6概述

DDR DRAM, 8MX8, 0.6ns, CMOS, PDSO66

V58C265804ST6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e0
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
端子数量	66
字数	8388608 words
字数代码	8000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.02 A
最大压摆率	0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL

V58C265804ST6相似产品对比

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描述	DDR DRAM, 8MX8, 0.6ns, CMOS, PDSO66	DDR DRAM, 8MX8, 0.6ns, CMOS, PDSO66	DDR DRAM, 8MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66	DDR DRAM, 8MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66	DDR DRAM, 8MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66	DDR DRAM, 8MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )	Mosel Vitelic Corporation ( MVC )
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46	TSSOP, TSSOP66,.46	TSSOP, TSSOP66,.46	TSSOP, TSSOP66,.46	TSSOP, TSSOP66,.46	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	0.6 ns	0.6 ns	0.8 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.8 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	166 MHz	125 MHz	143 MHz	143 MHz	125 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
端子数量	66	66	66	66	66	66
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A
最大压摆率	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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