4.5A, 20V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SEMELAB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 1.1 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.5 A |
最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 18 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRF430-JQR-BR1 | IRF430SMD-JQR-B | IRF430R1 | IRF430-JQR-B | |
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描述 | 4.5A, 20V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | 4.5A, 20V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | 4.5A, 20V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | 4.5A, 20V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 | 不含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | SEMELAB | SEMELAB | SEMELAB | SEMELAB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 1.1 mJ | 1.1 mJ | 1.1 mJ | 1.1 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.5 A | 4.5 A | 4.5 A | 4.5 A |
最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω | 1.8 Ω | 1.8 Ω | 1.8 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-3 | TO-3 | TO-3 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 18 A | 18 A | 18 A | 18 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
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