Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | SOP, TSSOP86,.46,20 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 125 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G86 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 86 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | TSSOP86,.46,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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