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KM75C02AS-35

产品描述FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28
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文件大小415KB,共14页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM75C02AS-35概述

FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28

KM75C02AS-35规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
其他特性RETRANSMIT
周期时间45 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
内存密度9216 bit
内存宽度9
功能数量1
端子数量28
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX9
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
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