Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | SOJ |
包装说明 | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 12 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 17.907 mm |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装等效代码 | SOJ28,.34 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 220 |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.556 mm |
最大待机电流 | 0.0002 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.5 mm |
CY7C1399-12VCT | CY7C1399-15VCT | CY7C1399-15ZCT | CY7C1399-20VCT | CY7C1399-12ZCT | |
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描述 | Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 | Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | SOJ | SOJ | TSOP | SOJ | TSOP |
包装说明 | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | TSOP1, | SOJ, | TSOP1-28 |
针数 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | unknown | unknown | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 12 ns | 15 ns | 15 ns | 20 ns | 12 ns |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J28 | R-PDSO-J28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-J28 | R-PDSO-G28 |
长度 | 17.907 mm | 17.907 mm | 11.8 mm | 17.907 mm | 11.8 mm |
内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ | SOJ | TSOP1 | SOJ | TSOP1 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.556 mm | 3.556 mm | 1.2 mm | 3.556 mm | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | J BEND | J BEND | GULL WING | J BEND | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.55 mm | 1.27 mm | 0.55 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
宽度 | 7.5 mm | 7.5 mm | 8 mm | 7.5 mm | 8 mm |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | - | 不符合 |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | - | - | COMMON |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - | - | e0 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | - | 3-STATE |
封装等效代码 | SOJ28,.34 | SOJ28,.34 | - | - | TSSOP28,.53,22 |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | - | - | 3.3 V |
最大待机电流 | 0.0002 A | 0.0002 A | - | - | 0.0002 A |
最小待机电流 | 2 V | 2 V | - | - | 2 V |
最大压摆率 | 0.06 mA | 0.055 mA | - | - | 0.06 mA |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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