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2N5551T1

产品描述160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小252KB,共9页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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2N5551T1概述

160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

2N5551T1规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BCY
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
集电极-发射极最大电压160 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-18
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层GOLD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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