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2SC3040N

产品描述8A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SC3040N概述

8A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN

2SC3040N规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-218
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度140 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值80 W
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

2SC3040N相似产品对比

2SC3040N 2SC3040L 2SC3040-L 2SC3040-M 2SC3040M 2SC3040-N
描述 8A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN 8A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN 8A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PB, 3 PIN 8A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PB, 3 PIN
零件包装代码 TO-218 TO-218 TO-218 TO-3PB TO-218 TO-3PB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 2 2 2 3 2 3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknow unknow unknow
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 15 15 20 20 30
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W 2.5 W 2.5 W 2.5 W 2.5 W 2.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 20 MHz 20 MHz 20 MHz 20 MHz 20 MHz 20 MHz
JEDEC-95代码 TO-218 TO-218 TO-218 - TO-218 -
功耗环境最大值 80 W 80 W 80 W - 80 W -
Base Number Matches 1 - - 1 1 1
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