Small Signal Bipolar Transistor,
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 150 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| 2N5401B | 2N5401C | 2N5401A | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, | Small Signal Bipolar Transistor, | Small Signal Bipolar Transistor, |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A | 0.6 A | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 150 V | 150 V | 150 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 120 | 150 | 80 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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