EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PBGA8, 1.50 X 2 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD AND HALOGEN FREE, BGA-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | VFBGA, |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
备用内存宽度 | 8 |
最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B8 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 2 mm |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.91 mm |
串行总线类型 | MICROWIRE |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 1.5 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
AT93C66AU3-10UU-2.7 | AT93C66AY1-10YU-2.7 | AT93C56AU3-10UU-2.7 | |
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描述 | EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PBGA8, 1.50 X 2 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD AND HALOGEN FREE, BGA-8 | EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, 4.90 X 3 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, MSOP-8 | EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PBGA8, 1.50 X 2 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD AND HALOGEN FREE, BGA-8 |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | BGA | MSOP | BGA |
包装说明 | VFBGA, | HVSON, | VFBGA, |
针数 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
备用内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B8 | R-XDSO-N8 | R-PBGA-B8 |
JESD-609代码 | e1 | e3 | e3 |
长度 | 2 mm | 4.9 mm | 2 mm |
内存密度 | 4096 bit | 4096 bit | 2048 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 |
字数 | 256 words | 256 words | 128 words |
字数代码 | 256 | 256 | 128 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 256X16 | 256X16 | 128X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA | HVSON | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.91 mm | 0.9 mm | 0.91 mm |
串行总线类型 | MICROWIRE | MICROWIRE | MICROWIRE |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | BALL | NO LEAD | BALL |
端子节距 | 0.5 mm | 0.65 mm | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM | DUAL | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 |
宽度 | 1.5 mm | 3 mm | 1.5 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | 10 ms |
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