电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2SK1215IGDUL

产品描述VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CMPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小38KB,共2页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 全文预览

2SK1215IGDUL概述

VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CMPAK-3

2SK1215IGDUL规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)24 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 684  691  1328  1376  1570 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved