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2SK1215IGDUR

产品描述VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CMPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小38KB,共2页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SK1215IGDUR概述

VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CMPAK-3

2SK1215IGDUR规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)24 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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