IC BUFFER AMPLIFIER, MBCY8, METAL CAN-8, Buffer Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
| 零件包装代码 | BCY |
| 包装说明 | , CAN8,.2 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 7 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 50 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 4 µA |
| 最大输入失调电压 | 50000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装等效代码 | CAN8,.2 |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 最小摆率 | 250 V/us |
| 标称压摆率 | 1200 V/us |
| 最大压摆率 | 20 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 5962-9081201MGA | 5962-9081201MPA | |
|---|---|---|
| 描述 | IC BUFFER AMPLIFIER, MBCY8, METAL CAN-8, Buffer Amplifier | IC BUFFER AMPLIFIER, CDIP8, CERDIP-8, Buffer Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) |
| 零件包装代码 | BCY | DIP |
| 包装说明 | , CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 7 µA | 7 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 50 MHz | 50 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 4 µA | 4 µA |
| 最大输入失调电压 | 50000 µV | 50000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装等效代码 | CAN8,.2 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 |
| 最小摆率 | 250 V/us | 250 V/us |
| 标称压摆率 | 1200 V/us | 1200 V/us |
| 最大压摆率 | 20 mA | 20 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
| 端子形式 | WIRE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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