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IDT7M4068L20CB

产品描述SRAM Module, 256KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
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文件大小209KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M4068L20CB概述

SRAM Module, 256KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32

IDT7M4068L20CB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Objectid1440697515
零件包装代码DIP
包装说明1.700 X 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
compound_id9774220
最长访问时间20 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e0
长度43.18 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
座面最大高度9.144 mm
最大待机电流0.001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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