IRFR18N15DPBF,IRFR18N15DPBF pdf中文资料,IRFR18N15DPBF引脚图,IRFR18N15DPBF电路-Datasheet-电子工程世界

IRFR18N15DPBF: 产品描述18 A, 150 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小4MB，共10页; 制造商Kersemi Electronic; 官网地址http://www.kersemi.com

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRFR18N15DPBF在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	IRFR18N15DPBF	-	-	点击查看	点击购买

18 A, 150 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

18 A, 150 V, 0.125 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

	IRFR18N15DPBF	IRFU18N15DPBF
描述	18 A, 150 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	18 A, 150 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
端子数量	2	2
最小击穿电压	150 V	150 V
加工封装描述	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
无铅	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL
端子位置	SINGLE	SINGLE
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	DRAIN	DRAIN
元件数量	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
通道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	18 A	18 A
额定雪崩能量	200 mJ	200 mJ
最大漏极导通电阻	0.1250 ohm	0.1250 ohm
最大漏电流脉冲	72 A	72 A

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ