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VP0109N3P006

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共4页
制造商Supertex
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VP0109N3P006概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 90V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

VP0109N3P006规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Supertex
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压90 V
最大漏极电流 (ID)0.25 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)8 pF
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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