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GS8640E32T-250IVT

产品描述Cache SRAM, 2MX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小524KB,共23页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8640E32T-250IVT概述

Cache SRAM, 2MX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

GS8640E32T-250IVT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量100
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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