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BSS84P-L6327

产品描述170 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSS84P-L6327在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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BSS84P-L6327概述

170 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

170 mA, 60 V, P沟道, 硅, 小信号, 场效应管

BSS84P-L6327规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.17 A
最大漏极电流 (ID)0.17 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)3 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.36 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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