RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
基于收集器的最大容量 | 0.8 pF |
集电极-发射极最大电压 | 11 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 3200 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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