CY62146CV33LL-70BAI,CY62146CV33LL-70BAI pdf中文资料,CY62146CV33LL-70BAI引脚图,CY62146CV33LL-70BAI电路-Datasheet-电子工程世界

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CY62146CV33LL-70BAI: 产品描述Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, FBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小254KB，共11页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY62146CV33LL-70BAI概述

Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, FBGA-48

CY62146CV33LL-70BAI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	7 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00001 A
最小待机电流	1.5 V
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	7 mm

CY62146CV33LL-70BAI相似产品对比

	CY62146CV33LL-70BAI	CY62146CV25LL-70BAI
描述	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, FBGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, FBGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30	7 X 7 MM, FBGA-48
针数	48	48
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48
JESD-609代码	e0	e0
长度	7 mm	7 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16
功能数量	1	1
端子数量	48	48
字数	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	256KX16	256KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A
最小待机电流	1.5 V	1.5 V
最大压摆率	0.015 mA	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
宽度	7 mm	7 mm

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