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IDT6168LA10P

产品描述Standard SRAM, 4KX4, 10ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
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文件大小251KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT6168LA10P概述

Standard SRAM, 4KX4, 10ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20

IDT6168LA10P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数20
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T20
JESD-609代码e0
长度26.1874 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX4
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.191 mm
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.62 mm
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