Cache Tag SRAM Module, 64KX32, CMOS, LOW PROFILE, CARD EDGE PACKAGE-160
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| Objectid | 1496410152 |
| 零件包装代码 | CARD |
| 包装说明 | LOW PROFILE, CARD EDGE PACKAGE-160 |
| 针数 | 160 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| compound_id | 9495537 |
| 其他特性 | 8K X 8 TAG |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 66 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N160 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE TAG SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 160 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM160 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 3.3,5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小待机电流 | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.4 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| IS6MC256K-66 | IS6MC256K-50 | IS6MC256K-60 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Cache Tag SRAM Module, 64KX32, CMOS, LOW PROFILE, CARD EDGE PACKAGE-160 | Cache Tag SRAM Module, 64KX32, CMOS, LOW PROFILE, CARD EDGE PACKAGE-160 | Cache Tag SRAM Module, 64KX32, CMOS, LOW PROFILE, CARD EDGE PACKAGE-160 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | CARD | CARD | CARD |
| 包装说明 | LOW PROFILE, CARD EDGE PACKAGE-160 | LOW PROFILE, CARD EDGE PACKAGE-160 | LOW PROFILE, CARD EDGE PACKAGE-160 |
| 针数 | 160 | 160 | 160 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compli |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 其他特性 | 8K X 8 TAG | 8K X 8 TAG | 8K X 8 TAG |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 66 MHz | 50 MHz | 60 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N160 | R-XDMA-N160 | R-XDMA-N160 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE TAG SRAM MODULE | CACHE TAG SRAM MODULE | CACHE TAG SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 160 | 160 | 160 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX32 | 64KX32 | 64KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM160 | DIMM160 | DIMM160 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | 240 |
| 电源 | 3.3,5 V | 3.3,5 V | 3.3,5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.4 mA | 0.4 mA | 0.4 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V | 3.63 V | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
| 是否无铅 | - | 含铅 | 含铅 |
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