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2N7294R3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 200V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小100KB,共4页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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2N7294R3概述

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 200V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

2N7294R3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)23 A
最大漏极电流 (ID)23 A
最大漏源导通电阻0.115 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)69 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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