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2SC4226R25

产品描述UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小196KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SC4226R25概述

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

2SC4226R25规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1.5 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)125
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4500 MHz
Base Number Matches1

2SC4226R25相似产品对比

2SC4226R25 2SC4226-T1R25 2SC4226-T1R23 2SC4226-T1R24 2SC4226R25-T1 2SC4226R24 2SC4226R23
描述 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-323 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code compli unknow unknow unknow unknow compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE Single SINGLE SINGLE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 4500 MHz 3000 MHz 4500 MHz 4500 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
是否Rohs认证 不符合 - - - 不符合 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 - 3 3
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
基于收集器的最大容量 1.5 pF 1.5 pF 1.5 pF 1.5 pF - 1.5 pF 1.5 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V 12 V - 12 V 12 V
最小直流电流增益 (hFE) 125 - - - 125 70 40
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND - ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 - 1 1
端子数量 3 3 3 3 - 3 3
最高工作温度 150 °C - - - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W - - - 0.15 W 0.15 W 0.15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON
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